ICS77.040 CCS H 21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T6616-2023 代替GB/T6616—2009 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层 电阻的测试非接触涡流法 Test method for resistivity of semiconductor wafers and sheet resistance of semiconductor films-Noncontact eddy-current gauge 2023-08-06发布 2024-03-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T6616-2023 前 言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件代替GB/T6616一2009《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法》， 与GB/T6616一2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a)更改了范围（见第1章，2009年版的第1章）； b)更改了干扰因素（见第5章，2009版的第5章）； c)更改了试验条件（见第6章，2009年版的6.1）； d)更改了标准片和参考片的要求（见8.1、8.2、8.3 2009年版的4.2）； e)增加了样品的要求（见8.4、8.5、8.6）； f)更改了试验步骤（见第9章，2009年版的第6章）； g)更改了精密度（见第10章，2009年版的第7章）； h)增加了硅单晶电阻率温度系数（见附录A). 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公 司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、北京 通美晶体技术股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、北京天 科合达半导体股份有限公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、浙江旭盛电子有限公司、浙江中晶 科技股份有限公司、昆山海菲曼科技集团有限公司. 本文件主要起草人：何炬坤、刘立娜、李素青、张颖、马春喜、张海英、潘金平、丁雄杰、任殿胜、 王元立、朱晓彤、张雪囡、余宗静、齐斐、许蓉、李明达、詹玉峰、黄笑容、边仿. 本文件于1995年首次发布，2009年第一次修订，本次为第二次修订. GB/T6616—2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层 电阻的测试非接触涡流法 1范围 本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法. 本文件适用于测试直径或边长不小于25.0mm、厚度为0.1mm~1.0mm的硅、导电型碑化、导 电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1000倍的薄膜薄层的电阻.单 晶片电阻率的测试范围为0.0010cm~2000cm 薄膜薄层电阻的测试范围为2.0X1030/口~ 3.0×1030/口.本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件. GB/T14264半导体材...
GB/T 6616-2023 正式版 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法.pdf
