ICS77.040 CCS H 21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T1553-2023 代替GB/T1553一2009 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium- Photoconductivity decay method 2023-08-06发布 2024-03-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T1553-2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件代替GB/T1553一2009《硅和错体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》，与GB/T1553一 2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a)更改了范围（见第1章，2009年版的第1章）； b)增加了术语和定义中直观寿命、少数载流子寿命、载流子复合寿命、注入水平的定义（见第3 章)，删除了表观寿命的定义（见2009年版的3.1），更改了体寿命的定义（见3.2 2009年版的 3.2); )更改了干扰因素中陷阱效应、光生伏特效应、温度、电导率调幅效应、扫出效应、光源的波长和 关断特性、滤光片的影响（见4.1、4.4、4.5、4.10~4.13 2009年版的5.1、5.4、5.7、5.3、5.6、5.5、 5.9) 增加了注人比、电阻率、样品表面、样品尺寸、载流子浓度变化、加水的影响、不同寿命测 试方法间的关系（见4.2、4.3、4.7、4.8、4.14~4.16）； d)更改了方法原理（见5.1 2009年版的第4章）； e)更改了研磨材料（见5.2.2 2009年版的7.1.2）； )更改了光源、电源、滤光片放置位置（见5.3.2.1~5.3.2.4 2009年版的6.2、6.3、6.5），删除了恒 温器、研磨设备、清洗和干燥设备（见2009年版的6.4、7.6、7.7），增加了计算机及软件系统（见 5.3.2.6); g)增加了试验条件（见5.3.4）； h)更改了试验步骤中温度的要求（见5.3.5.1 2009年版的8.1）； i)更改了直流光电导衰减-脉冲光方法的精密度（见5.3.7 2009年版的第11章）； j)更改了高频光电导测试系统示意图（见6.2.1 2009年版的A.3.1); k)更改了光脉冲发生装置、光学系统、高频电源、检波器的要求（见6.2.2.1~6.2.2.4 2009年版的 A.3.2~A.3.5) 增加了宽频放大器、取样器、示波器或计算机及软件系统测试装置（见6.2.2.5~ 6.2.2.7); 1)增加了样品要求（见6.3）； m)增加了试验条件中相对湿度的要求（见6.4）； n)增加了仪器的校准（见6.5.2）； o)增加了快速测试方法（见6.5.4）； p)增加了注人水平的计算（见6.6.1）； q)更改了高频光电导衰减方法的精密度（见6.7 2009年版的第11章）； r)增加了不同测试方法得到的寿命值之间的关系（见附录B). 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广州昆德 半导体测试技...
高清、正式版 GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法.pdf
