ICS29.045 CCS H 80/84 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟 China advanced semiconductor industry innovation alliance 111- 团 体 标 准 T/CASAS 032—2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 Test method for the content of metal elements on the surface of silicon carbide wafer-Inductively coupled plasma mass spectrometry 版木：V01.00 2023-06-19发布 2023-06-19实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASAS 032-2023 目 次 前言 III 引言 IV 1范围 .1 2规范性引用文件. 3术语和定义 4方法提要 2 5方法原理 2 6干扰因素. 2 7试剂与材料 .2 8测量仪器与测试环境 8.1测量仪器 3 8.2测试环境 3 9直接酸滴分解法扫描溶液的制备 3 9.1手动法 3 9.2自动法 4 10待测元素质量数选择 4 11校准曲线 4 12测定次数 4 13试验数据处理 4 14精密度 、 5 15试验报告 5 T/CASAS032—2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)制定发布，归CASAS ，未经CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS允许；任何 单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号. 本文件起草单位：山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公 司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、 安徽长飞先进半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半 导体产业技术创新战略联盟. 本文件主要起草人：崔潆心、陈秀芳、谢雪健、杨祥龙、徐现刚、来玲玲、于国建、冯涂、丁雄杰、 秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏. ...
T/CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法.pdf
