ICS31.080.01 CCS K 81 团 体 标 准 T/C1161—2022 1200V和1700V电压等级绝缘栅双极型 晶体管(IGBT)驱动器 1200V and 1700V Insulated grade bipolar transistor (IGBT)gate driver 2022-12-15发布 2022-12-15实施 中国国际科技促进会发布 T/C1161—2022 目次 目次 I 前言. II 1范围. ..1 2规范性引用文件 3术语和定义 2 4缩率语...... 2 5基本参数. 3 6技术要求... 3 7试验方法. .6 8检验规则. 11 9标志、包装、运输及贮存 13 T/C1161—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由杭州飞仕得科技股份有限公司提出. 本文件由中国国际科技促进会归口管理. 本文件起草单位：杭州飞仕得科技股份有限公司、浙江运达风电股份有限公司、杭州得诚电力科技 股份有限公司、杭州飞仕得半导体科技有限公司、杭州毕博标准化技术有限公司. 本文件主要起草人：李军、王坤、陈哲、钱方平、刘伟、李景灏、周才运、张杰、郭祥辉、刘乃强、 杨昌国、王文广、洪磊、沈军武、付厚、魏平、孔佳佳. 本文件由杭州飞仕得科技股份有限公司制定、并负责解释. II ...
T/CI 161-2022 1200 V和1700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGB/T ）驱动器.pdf
