ICS81.060.30 CCS Q32 团 体 标 准 T/SCS000024—2023 高导热氮化硅陶瓷基片 High thermal conductivity silicon nitride substrate 2023-01-17发布 2023-02-28实施 上海市硅酸盐学会 发布 T/SCS000024—2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由上海市硅酸盐学会提出并归口. 本文件起草单位：浙江多面体新材料有限公司，中国科学院上海硅酸盐研究所，浙江德汇电子材料 有限公司，江苏宏微科技股份有限公司，基本半导体（无锡）有限公司 本文件主要起草人：张景贤，段于森，李博闻，吴炜炜，李晓罕，王屹强，汤文昱，刘宁，李哲， 王铃沣，周泊岸，徐荣军，孙炎权，王晓宝 本文件为首次制定. I T/SCS000024—2023 高导热氮化硅陶瓷基片 1范围 本文件规定了高导热氮化硅陶瓷基片的产品标记、技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输与 贮存. 本文件适用于大功率电力电子器件功率控制模块用高导热氮化硅陶瓷基片，热导率不低于80.0 W/(m K). 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本 文件. GB191包装储运图示标志 GB/T1408.1绝缘材料电气强度试验方法第1部分：工频下试验 GB/T2413压电陶瓷材料体积密度测量方法 GB/T5594.4电子元器件结构陶瓷材料测试性能方法介质损耗正切值的测试方法 GB/T5594.5电子元器件结构陶瓷材料测试性能方法体积电阻率测试方法 GB/T6062产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法接触（触针）式仪器的标称特性 GB/T6569-2006精细陶瓷弯曲强度试验方法 GB/T10700精细陶瓷弹性模量试验方法弯曲法 GB/T14619厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 GB/T16535精细陶瓷线热膨胀系数试验方法顶杆法 GB/T23806精细陶瓷断裂韧性试验方法单边预裂纹梁(SEPB)法 GB/T39862高热导率陶瓷导热系数的检测 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 翘曲度Warpage or warp 用于表述平面在空间中的弯曲程度，在数值上被定义为翘曲平面在高度方向上距离最远的两点间 的距离.绝对平面的翘曲度为0. 3.2 高导热氮化硅陶瓷基片High thermal conductivity SiN.substrate 氮化硅陶瓷基片，可在其表面印制导体图形、膜元件或粘贴电子元器件的一种片状氮化硅陶瓷支撑 物，简称基片.高导热氮化硅陶瓷基片，是指热导率大于80W/mK 强度大于600MPa 具有抗热冲击 和高可靠性优势的一类材料.通常应用在大功率电力电子器件中，如IGBT. 4型号命名 产品型号由四部分组成，如下所示： 最低热导率 强度 基片材质代号 1 ...
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