GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD).pdf

中华人民共和国,二阶导数,半导体,半导体产业,半导体晶片近边缘几何形态评价,导数,电子
文档页数:11
文档大小:2.85MB
文档格式:pdf
文档分类:电子
上传会员:
上传日期:
最后更新:

ICS77.040 CCS H 21 B 中华人民共和国国家标准 GB/T43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD) Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry- Part 1:Measured height data array using a curvature metric(ZDD) 2024-04-25发布 2024-11-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T43894.1-2024 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件是GB/T43894《半导体晶片近边缘几何形态评价》的第1部分.GB/T43894已经发布了 以下部分: —第1部分:高度径向二阶导数(ZDD). 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位:山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣品圆半导体科技有限公司、金瑞泓 微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集 团)股份有限公司. 本文件主要起草人:王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、 郭正江. I ...

资源链接请先登录(扫码可直接登录、免注册)
十二年老网站,真实资源!
高速直链,非网盘分享!浏览器直接下载、拒绝套路!
本站已在工信部及公安备案,真实可信!
手机扫码一键登录、无需填写资料及验证,支持QQ/微信/微博(建议QQ,支持手机快捷登录)
①升级会员方法:一键登录后->用户中心(右上角)->升级会员菜单
②注册登录、单独下载/升级会员、下载失败处理等任何问题,请加客服微信
不会操作?点此查看“会员注册登录方法”

投稿会员:匿名用户
我的头像

您必须才能评论!

手机扫码、免注册、直接登录

 注意:QQ登录支持手机端浏览器一键登录及扫码登录
微信仅支持手机扫码一键登录

账号密码登录(仅适用于原老用户)