轳"29.045 ol Wide Bandgap ton nicon H80/84 WB 体标准 团 T/IAWBS001-2021 代替T/IAWBS001-2017 碳化硅单晶 Monocrystalline silicon carbide WB 宽禁带半导体技术创新联盟 2021-09-16发布 2021-09-23实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 001-2021 目次 前言 Ⅱ 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4产品分类 2 4.1分类 2 4.2牌号 2 4.3规格 2 5技术要求 2 5.1直径及允许误差 2 5.2电阻率 3 5.3参考面取向和位置 3 5.4参考面长度 3 5.5表面取向及偏离度 3 5.6晶体完整性 4 5.7晶体的杂质含量 4 6检测方法 .4 6.1直径 4 6.2电阻率 4 6.3晶向 4 6.4参考面取向 4 6.5切口尺寸 4 6.6参考面长度 4 6.7晶型 6.8晶体完整性 5 6.9高纯半绝缘晶体的杂质含量5 7检验规则 5 7.1检验与验收 5 7.2检验批 ............5 7.3检验项目 5 7.4抽样 5 7.5等级判定 6 7.6不合格品处置 6 7.7检验条件 6 8标志、包装、运输、贮存和随行文件 6 8.1标志 6 8.2产品包装、装箱 7 8.3储存和运输 附录A(规范性附录)碳化硅单晶牌号规定 8 附录B(规范性附录)半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法9 I T/IAWBS 001-2021 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规 则》的规定起草. 本文件代替T/IAWBS001-2017《碳化硅单晶》，与T/IAWBS001-2017相比，除结构调 整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a)范围中碳化硅单晶的用途增加了射频微波器件及LED发光器件（见第1章，2017年 版的第1章)； b)增加了规范性引用文件GB/T6616、GB/T26067、GB/T32188、T/IAWBS(位错密 度标准)（见第2章，2017年版的第2章）： c)删除了术语和定义中正交取向偏离、相变裂纹、基平面位错的定义（见第3章，2017 版的第3章)； d)产品分类增加了碳化硅单晶按产品质量分类要求（见4.1 2017版的4.1）； e)产品分类规格中增加了8"(D=200.0mm)和“非标准直径要求由供需双方协商确定” (见4.3 2017版的4.3)； f)更改了100.0mm、150.0mm碳化硅单晶的允许偏差要求，增加了200mm碳化硅单晶 的直径及允许偏差（见5.1.2 2017版的5.1.2）： g) 更改了碳化硅单晶电阻率的指标要求，删除了电阻率径向不均匀度的指标（见 5.2.1 2017版的5.2.1)； h)增加了8"碳化硅单晶的切口基准轴取向（见5.3.3）； i 更改了6"导电型碳化硅单晶主参考面长度的指标要求，增加了6”半绝缘型碳化硅单 晶和8”碳化硅单晶的切口尺寸（切口角度、深度）的指标要求（见5.4 2017版本的 5.4); j)删除了技术要求中晶型的分类（见第5章，2017版的第5章）； k)更改了晶体完整性及等级要求中微管密度、多型、相变裂纹相关测试要求...
T/IAWBS 001-2021 碳化硅单晶.pdf
