T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法.pdf

ICS29.045 H80 o wide Bandgap Semiconduc WES Bojouupa) 团 体 标 准 T/IAWBS003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 Silicon carbide epitaxial layers-Determination of carrier concentration- Mercury probe capacitance-voltages method 2017-12-20发布 2017-12-31实施 0215 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 刮涂服查真伪 T/IAWBS003-2017 目次 前言 I 1范围 1 2规范性引用文件 ] 3术语和定义 1 4测量设备 5测量原理 .......1 6测量精度保障 2 6.1影响测量准确性的因素 2 6.2测量设备的精度保障 2 6.2.1测量电压源 2 6.2.2电容仪 2 6.2.3汞探针有效接触面积的确定 2 6.2.4系统补偿电容的确定 3 6.2.5测量样品表面要求 3 6.2.6测量样品背面接触要求 ....3 7测量环境 3 8制样要求 3 9测量步骤 4 10测量系统的重复性和再现性 6 11测量报告 6 T/IAWBS003-2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全 球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科 技集团公司第五十五研究所. 本标准主要起草人：冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李资、陆敏、彭同华、刘振洲. ...