P轳"妒©.045 Wiae 00 H80/84 WB A 团 体标准 T/IAWBS007-2018 4H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 Test method for thickness of 4H silicon carbide homo-epitaxial layers by infrared reflectance 2018-12-06发布 2018-12-17实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 007-2018 目次 前言 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 3.14H碳化硅4 H Silicon Carbide.. 3.2干涉Interference........ 4方法提要 5测试仪器 5.1红外光谱仪. 5.2仪器附件 6干扰因素 7测试环境. 8试样.. 9测试程序 9.1仪器校准.. 9.2测试条件的选择 444 9.3测量 10计算.. 11精度度 12测试报告 附录A(资料性附录)测厚实例 参考文献 I T/IAWBS 007-2018 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、东莞市天域半导体科技有限 公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国电子科技集团公 司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所. 本标准主要起草人：张新河、钮应喜、王英民、贾仁需、张峰、刘丹、陈志霞、闫果果、 陆敏、郑红军、彭同华、林雪如、陈鹏、刘祎晨. Ⅱ ...
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