ICS29.045 Wide Ban H80/84 WB ZBAOUU 6 团 °标准 T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法 Experimental method for residual stress in SiC wafers 宽禁带半导体技术创新联盟 2019-12-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 008-2019 目次 前言 II 1范围 2规范性引用文件 ....1 3术语和定义 1 3.1残余应力 3.2应力双折射现象.. ....1 3.3起偏镜和分析镜 3.4平面应力状态 3.5相位差 .2 4测试原理 .2 5测试仪器. .3 6干扰因素 4 7测试环境 4 8试样. 4 9测试程序 4 10计算 5 11精密度. 来来 5 12测试报告 附录A WB 宽禁带半导体技术创新联盟 ...
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