ICS29.045 Wide Ban H80/84 WB PAOUU 团 体标准 T/IAWBS010-2019 ssociatio .conduct 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法激 光散射检测法 Detection method for measuring the surface Detection method for measuring the surface quality and micropipe densityof polished monocrystalline silicon carbide wafers-Laser Scattering Method 宽禁带半导体技术创新联盟 2019-12-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS010-2019 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有 限公司、东莞天域半导体科技有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、新疆天科合达蓝光 半导体有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半 导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、全球能源互联网研究院有限公司、瀚 天天成电子科技（厦门）有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技（北京） 有限公司. 主要起草人：余宗静、赵岩、杜莹莹、曹艳芳、刘丹、陆敏、郑红军、林健、王文军、 林雪如、刘祎晨、陈鹏、韩超、张平、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤. NB 宽禁带半导体技术创新联盟 T/IAWBS010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 一一激光散射测试方法 1范围 Wide Bandgao 本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射 测试法. 本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本 适用于本文件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T31351碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 GB50073.洁净厂房设计规范 Bojouupa 3术语和定义 宽禁带半导体技术创新联盟 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件，已有国标中规定的标准术语不 在本标准中重复体现. 4方法原理 激光散射检测仪器在扫描样品时，激光发射器发出波长为355nm和405nm的激光，分 别以垂直角度和倾斜角度照射在样品上，激光经过样品表面和内部会发生反射和散射，因局 部光散射体的散射特性有很大差异，所以会有不同的散射强度.另外，探测器通过收集散射 信号、反射信号和反射光斑位置信号（四象限探测器），并分析接收的信号来识别缺陷的大 小和位置，表面缺陷检测光路图见图1. 2 ...
T/IAWBS 010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法.pdf
