轳妒©.045 Wide Ban H80/84 WB ZBAOUU 6 团 体标准 T/IAWBS013-2019 Assoclatio Conducion 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 The measurement method of resistivity for semi-insulating nouu silicon carbide substrate K6010 宽禁带半导体技术创新联盟 2019-12-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 013-2019 目 次 前言 1 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 .2 1范围. .2 2 规范性引用文件 ..2 3 术语和定义 .2 4 测试原理 2 5 测试仪器 6 干扰因素 .3 7 测试样品 .3 8 测试环境 4 9 测试程序 10 精密度 11 测试报告 NB 宽禁带半导体技术创新联监 I ...
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