ICS29.045 o Wide H80/84 WB 团 体 标 准 T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片X射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 Test Method for FulI Width at Half Maximum of Double Crystal X-ray Rocking Curve of Sil icon Carbide Wafers 2022-03-17发布 2022-03-24实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 016—2022 目 次 前言 II 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4测试原理 4.1晶体X射线衍射原理 4.2摇摆曲线测试原理 .2 4.3晶体摇摆曲线半高宽 2 5测试仪器 仪器.......2 5.1光路配置 .2 5.2样品台 2 5.3仪器校准. .3 6干扰因素 3 7测试环境 3 8测试样品 3 9测试程序. 3 9.1放置样品 3 9.2确定布拉格角... 3 9.3调整样品 来来来来来来来来来来 3 9.4测量点分布 4 9.5摇摆曲线测量 .4 9.6确定半高宽 10精密度. A 11测试报告. .5 附录A6 T/IAWBS016—2022 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规 则》的规定起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的 责任. 本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本文件起草单位：国宏中宇科技发展有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联 盟、中科钢研节能科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研 究所、北京三平泰克科技有限责任公司、北京聚睿众邦科技有限公司、芜湖启迪半导体有 限公司、中国科学院半导体研究所 本文件主要起草人：刘素娟、鲍慧强、李龙远、王锡铭、赵然、赵子强、刘春俊、闫 方亮、郑红军、王文军、钮应喜、刘兴、刘祎晨. 本文件为首次制定. ...
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