ICS29.045 CCS H 82 TNXCL 宁夏材料研究学会团体标准 T/NXCL016—2022 200mm重掺锑直拉硅单晶抛光片 200 mm heavily antimony-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafer 2022-12-2发布 2022-12-2实施 宁夏材料研究学会发布 T/NXCL016—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起 草. 本文件由宁夏材料研究学会提出. 本文件由宁夏材料研究学会归口. 本文件起草单位：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有 限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司. 本文件主要起草人：芮阳、商润龙、王黎光、伊冉、曹启刚、杨少林、熊欢、王忠宝、马成、周文 辉、马吟霜、魏兴彤、张昆、盛之林、张友海、顾燕滨、黄柳青、范占军. I T/NXCL016—2022 200mm重掺锑直拉硅单晶抛光片 1范围 本文件规定了200mm重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及 标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容. 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200mm的重掺锑硅单晶的 抛光片.产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本 文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1计数抽样检测程序第一部分：按接受质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12963—2014电子级多晶硅 GB/T12965硅单晶切割片和研磨片 GB/T14140硅片直径测量法方法 GB/T14144硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T32279硅片订货单格式输入规范 GB/T32280硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 YS/T26硅片边缘轮廓检验方法 YS/T28硅片包装 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件. 4产品分类 本产品为N型直拉硅单晶抛光片，按照晶向分为常用的、两种规格. 5技术要求 1 ...
T/NXCL 016-2022 200 mm 重掺锑直拉硅单晶抛光片.pdf
