ICS81.060.30 L21 备案号：38991一2013 JC 中华人民共和国建材行业标准 JC/T2148-2012 硅酸镓镧压电晶体 Langasite piezoelectric crystal 2012-12-28发布 2013-06-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 JC/T2148—2012 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由中国建筑材料联合会提出. 本标准由全国工业陶瓷标准化技术委员会功能陶瓷分技术委员会(SAC/TC194/SC3)归口. 本标准起草单位：中国科学院上海硅酸盐研究所、上海硅酸盐研究所中试基地、上海市新材料协会. 本标准主要起草人：郑燕青、孔海宽、涂小牛、陈辉、崔素贤、施尔畏、陈调娣. 本标准为首次发布. I JC/T2148-2012 硅酸镓镧压电晶体 1范围 本标准规定了硅酸镓镧压电晶体（代号为LGS)的术语和定义、标记、技术要求、试验方法、检验规 则以及标志、包装、运输和贮存等. 一本标准适用于谐振器、滤波器、传感器等压电器件所用的硅酸镓镧压电晶体. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1555一2009半导体单晶晶向测定方法 GB/T2413压电陶瓷材料体积密度测量方法 GB/T2414.2压电陶瓷材料性能试验方法长条横向长度伸缩振动模式 GB/T3389一2008压电陶瓷材料性能测试方法性能参数的测试 GB/T11310压电陶瓷材料性能测试方法相对自由介电常数温度特性的测试 SJ/T11365电子信息产品中有毒有害物质的检测方法 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 压电晶体piezoelectric crystal 具有压电效应的晶体，称为压电晶体. 3.2 硅酸镓镧压电晶体langasite crystal .硅酸镓镧压电晶体属于三方晶系，具有32点群，空间群P321 其化学式La3 GasSiO14 4标记 硅酸镓镧压电晶体按产品代号、生长方向、规格尺寸、端面方向、产品编号和标准号的顺序标记. 示例：生长方向为Z向，产品直径为76.2mm 厚度为50mm 产品端面方向为Y向，产品编号为1，符合JC/T2148 的硅酸镓镧压电晶体标记为： LGS-Z-76.2X50-Y-1-JC/T2148 标记中各要素的含义如下： LGS——硅酸镓镧压电晶体； Z-一生长方向为Z向； 76.2×50一一产品直径为76.2mm 厚度为50mm; 1 JC/T2148-2012 Y一一产品端面方向为Y向； 1一产品编号为1； JC/T2148一一产品符合JC/T2148标准要求. 5技术要求 5.1尺寸公差 外形尺寸应符合用户要求，且尺寸公差≤1%. 5.2外观质量 产品应透明、呈棕红色或者浅棕色；外表面应无机械损伤、无肉眼可见的裂纹、色差. 5.3包裹体 在激光器照射下，晶体内部无肉眼可见包裹体. 5.4晶向偏离度 晶向偏离度≤18’. 5.5有害物质含量 有毒有害物质含量见表1. 表1有毒有害物质含量 有毒有害物质名称 含量指标 铅 <0.1% <0.1% 六价铬 <0.1% 多溴联苯 <0.1% 多溴二苯醚（十二溴二苯醚除外） <0.1% <0.01% 5.6体积密度 常温下硅酸镓镧压电晶体的体积密度应介于5.742g/cm3到5.748g/cm3之间. 5.7电弹性能指标 常温下硅酸镓镧压电晶体的电弹性能指标见表2. 2 .JC/T2148-2012 表2常温下硅酸镓镧压电晶体产品的电弹性能指标 项目 符号 单位 性能指标 18.8~19.6 相对自由介电常数 63/6o 50.0~51.4 C 1.89~1.94 0.54~1.08 CB 0.95~1.02 电学短路弹性劲度常数 CE 10"N/m2 0.14~0.16 C5 2.61~2.77 CE 0.53~0.54 0.42~0.43 压电应力常数 eu 0.40~0.45 C/m2 e14 -0.07~-0.13 du 5.5~6.2 压电应变常数 10-2C/N du -6.0~-5.4 0.15~0.17 机电耦合系数 k26 0.06~0.09 6试验方法 6.1尺寸公差 采用测量精度不低于0.02mm的游标卡尺进行测定. 6.2外观质量 在100W白炽灯光下，采用用目测法进行检验. 6.3包裹体 对产品进行研磨、抛光，采用5mWHe-Ne激光器照射产品，采用目测法进行检验. 6.4晶向偏离度 按照GB/T1555一2009规定的方法进行测定. 6.5有害物质含量 :按照SJ/T11365规定的方法进行测定. 6...
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