ICS29.045 o Wide H80/84 WB 团 体 标 准 T/IAWBS 021-2024 碳化硅晶片边缘轮廓检测方法 Test methods for edge contour of sil icon carbide wafers 2024-05-17发布 2024-05-24实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 021—2024 目 次 前言 II 1范围 .1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 4方法提要 5干扰因素 6仪器设备 2 7试样 .2 8测试程序 2 9精密度 .3 10测试报告 3 l T/IAWBS021—2024 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规 则》的规定起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的 责任. 本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟标委会归口. 本文件起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公 司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材料有限公司 本文件主要起草人：余宗静、彭同华、王大军、刘祎晨、王波、赵宁、张平、杨建、 郑红军、蔡丽艳 本文件为首次制定. T/IAWBS 021—2024 碳化硅晶片边缘轮廓检测方法 1范围 本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检测方法. 本文件适用于检测倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检测可参照 本文件执行. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文 件. GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法提要 将碳化硅晶片放置在LED光源下，光源照在碳化硅晶片边缘，CCD相机将碳化硅晶片边缘（不包括参 考面)或切口轮廓形状的图像导入电脑，进行二值化（即将图像上的像素点的灰度值设置为0或255，将整 个图像呈现出明显的黑白效果的过程)处理后，通过曲率及直线切点计算得出边缘轮廓长度，测试原理如 图1所示. 电脑显示（包含图像处理软 电脑显示（包含图像处理软件） 光源 碳化硅晶片 碳化硅晶片 载物台 CCD相机 载物台 光源 CCD相机 图1(a)检测晶片边缘 图1(b)检测晶片切口 图1轮廓仪测试原理图 5干扰因素 5.1已倒角碳化硅晶片边缘的表面颗粒或沾污，会掩盖晶片的轮廓形状，对测试结果产生误差，因此应 保证洁净的环境. 5.2碳化硅晶片的翘曲度会对测试结果产生误差. 5.3碳化硅晶片厚度的变化会对测试结果产生误差，因此应保证晶片厚度均匀. 1 T/IAWBS 021—2024 6仪器设备 轮廓仪一般由LED光源、CCD相机、载物台及数据分析系统等部分组成. 6.1LED光源：提供边缘轮廓的光照亮度，最大额定电流0.07A. 6.2CCD相机：在2倍/4倍镜头下采集碳化硅晶片边缘轮廓（切口）形貌，2倍镜头测量晶片厚度范围 400~1400um 4倍镜头测量晶片厚度范围200~500um. 6.3载物台：它是支撑测量碳化硅晶片的平台，通过旋转载物台旋钮可以测量晶片边缘不同位置. 6.4数据分析系统：图像二值化处理后，提取边缘轮廓（切口）形貌，通过及直线切点计算得出边缘轮 廓长度. 7试样 碳化硅晶片测试前应经过倒角，且边缘清洁、干燥. 8测试程序 8.1校准 使用厚度为500um的校正样块对设备进行校准，校正样块只校准厚度，所测得的校准样块与标准值的 差应在标准误差范围（≤lum). 8.2测量 8.2.1根据晶片尺寸调整载物台导柱位置，并将碳化硅晶片按照硅面朝上放置在载物台上. 8.2.2根据晶片类型及测试要求，选择CCD相机类型(Edge相机和Notch相机)及磨石样式(T型磨石 和R型磨石). 8.2.3根据CCD相机提取静止图像并进行二值化图像处理，开始测量.边缘轮廓形状和测试结果会显示 在显示屏上，根据需要可以进行打印.该方法可以测试R型（见图2）、T型（见图3）、切口（见图4） 等的轮廓形状. A1 Ang1 R B1 t B2 Ang2 A2 其中： A1、A2、B1、B2轮廓长度； R——边缘轮廓顶部圆弧半径； t——碳化硅晶片厚度； Angl、Ang2——边缘轮廓夹角. 图2R型 2 ...
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