ICS29.045 CCS H82 T/NXCL 宁夏材料研究学会团体标准 T/NXCL30-2024 300mm低氧含量直拉硅单晶 300mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon 2024-2-6发布 2024-2-6实施 宁夏材料研究学会 发布
T/NXCL30-2024 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。
本文件由宁夏材料研究学会提出。
本文件由宁夏材料研究学会归口。
本文件起草单位：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有 限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司。
本文件主要起草人：芮阳、商润龙、王黎光、杨少林、陈亚、赵泽慧、白圆、马成、曹启刚、王忠 保、熊欢、李聪、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺。
T/NXCL 30-2024 300mm低氧含量直拉硅单晶 1范围 本文件规定了300mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、 运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。
本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300mm的低氧含量硅单 晶。
产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的衬底。
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本 文件。
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12963-2022电子级多晶硅 GB/T14140硅片直径测量法方法 GB/T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T29504300mm硅单晶 GB/T37049电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件。
4技术要求 4.1原材料 原材料电子多晶硅应满足GB/T12963-2022第5.1条中多晶硅电子1级要求，具体指标见表1。
表1多晶硅主要性能要求 项目 指标要求 施主杂质含量（P、As、Sb总含量，以原子数计），cm- ≤2.5×1012 受主杂质含量（B、AI总含量，以原子数计），cm ≤1.5×102 碳含量（以原子数计），cm-3 ≤2.5×1015 基体金属杂质含量（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na总含量），ng/g（ppbw） ≤0.3 表面金属杂质含量（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na、Ti、Mo、W、Co总含量），ng/g（ppbw） ≤0.5 4.2直径及允许偏差 硅单晶直径及直径允许偏差符合GB/T29504的规定。
T/NXCL 30-2024 4.3电学参数 硅单晶的导电类型、掺杂元素、电阻率及其径向变化应符合表2的规定。
表2硅单晶电学参数 项目 指标要求 导电类型 N 掺杂元素 磷 电阻率，Qcm 23-175 电阻率径向变化，% 10 4.4晶向及偏离度 4.4.1硅单晶的晶向为。
4.4.2硅单晶的晶向偏离度应不大于0.5°。
4.5化学成分 4.5.1氧含量 硅单晶的间隙氧含量应不大于2.5×107原子数/cm3，氧含量的径向变化具体指标应不大于10%， 或由供需双方商定。
4.5.2碳含量 硅单晶的碳含量应不大于5x10l原子数/cm，或由供需双方商定。
4.5.3体金属含量 硅单晶的体铁含量应不大于5x1013原子数/cm3，其他体金属每种元素含量应不大于5x1011原子 数/cm3，或由供需双方商定。
4.6完整性 4.6.1硅单晶无孔洞、裂纹、划伤、蚀坑等。
4.6.2硅单晶位错密度不大于10个/cm²，位错尺寸不大于20μum。
4.6.3硅单晶的其他允许缺陷由供需双方协定。
4.7头尾区分 硅单晶应有明确的头尾标记，一般以H代表头部，T代表尾部，如有特殊要求，由供需双方协定 标记。
4.8其他 硅单晶的激光刻号等其他要求，由供需双方协商确定。
5试验方法 5.1硅单晶的直径的测量按照GB/T14140进行。
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