ICS 77. 040. 30 YS CCS H 17 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 Determination of trace impurity elements in silicon carbide single crystal- Glowdischargemassspectrometry 2023-04-21发布 2023-11-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布
YS/T1600-2023 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草.
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本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)、全国半导体设备和材料标准化技术委员 会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)提出并归口.
本文件起草单位：国合通用测试评价认证股份公司、国标(北京)检验认证有限公司、南京国盛电子 有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、广东先导稀材股份有限公司、 河北同光晶体有限公司、北京清质分析技术有限公司、贵研检测科技（云南)有限公司.
本文件主要起草人：刘红、刘鹏宇、胡芳菲、杨复光、刘丽媛、赵景鑫、孙道儒、骆红、余宗静、黄景明、 朱赞芳、谭秀珍、杨昆、李铭、马媛.
YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 1范围 本文件规定了碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的辉光放电质谱测定方法.
本文件适用于碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定.
各元素测定范围见表1.
表1各元素测定范围 测定范围 元素 测定范围 测定范围 测定范围 测定范围 元素 μg/g μg/g 元素 元素 元素 μg/g μg/g μg/g Li 0.05~50 Cr 0.05~50 Zr 0.05~50 La 0.05~50 Ta 0.05~50 Be 0.05~50 Mn 0.05~50 Nb 0.05~50 Ce 0.05~50 W 0.05~50 B 0.05~50 Fe 0.05~50 Mo 0.05~50 Pr 0.05~50 Re 0.05~50 F 0.10~50 Co 0.05~50 Ru 0.05~50 Nd 0.05~50 Os 0.05~50 Na 0.05~50 Ni 0.05~50 Rh 0.05~50 Sm 0.05~50 Ir 0.05~50 Mg 0.05~50 Cu 0.05~50 Pd 0.05~50 Eu 0.05~50 Pt 0.05~50 A1 0.05~50 Zn 0.05~50 Ag 0.05~50 Gd 0.05~50 Au 0.05~50 P 0.10~50 Ga 0.10~50 Cd 0.05~50 Tb 0.05~50 Hg 0.05~50 S 0.10~50 Ge 0.10~50 In 0.05~50 Dy 0.05~50 LL 0.05~50 K 0.10~50 As 0.10~50 Sn 0.05~50 Ho 0.05~50 Pb 0.05~50 C1 0.10~50 Br 0.10~50 Sb 0.05~50 Er 0.05~50 Bi 0.05~50 Ca 0.05~50 Se 0.10~50 1 0.05~50 Tm 0.05~50 Th 0.05~50 Sc 0.05~50 Rb 0.05~50 Te 0.05~50 Yb 0.05~50 U 0.05~50 Ti 0.05~50 Sr 0.05~50 Cs 0.05~50 Lu 0.05~50 V 0.05~50 Y 0.05~50 Ba 0.05~50 Hf 0.05~50 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.
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