ICS 29. 045 CCS H80 因 体 标 准 T/SHXCL 0021-2024 温差电致冷组件用晶棒 Crystalbar for thermoelectric refrigeration ponents 2024-06-28发布 2024-07-30实施 上海市新材料协会发布
T/SHXCL0021-2024 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.
本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由上海市新材料协会提出.
本文件由上海市新材料协会标准化技术委员会归口.
本文件起草单位：上海申和投资有限公司，杭州大和热磁电子有限公司、中国科学院上海硅酸 盐研究所、浙江先导热电科技股份有限公司、浙江汉恒热电材料科技有限公司.
本文件首批承诺执行单位：上海申和投资有限公司，杭州大和热磁电子有限公司、中国科学院 上海硅酸盐研究所、浙江先导热电科技股份有限公司、浙江汉恒热电材料科技有限公司.
本文件起草人：吴燕青、周帅、吴永庆、柏胜强、廖锦城、宋庆峰、唐泽丰、宋君强.
T/SHXCL 0021-2024 温差电致冷组件用晶棒 1范围 本文件规定了温差电致冷组件用晶棒的命名和分级、材料、技术要求、试验方法、检验规则及 标志、包装、运输和贮存.
本文件适用于以确化为基体材料，采用粉末热挤出法或区熔法制备而成的晶棒.
产品主要用 于温差电致冷组件.
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.
其中，注日期的引用 文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单） 适用于本文件.
GB/T191-2008包装储运图示标志 GB/T 915-2010 GB/T2829-2002周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检验) GB/T4472-2011化工产品密度和相对密度的测定 GB/T6388-1986运输包装收发标志 GB/T7314-2017金属材料室温压缩试验方法 GB/T22588-2008闪光法测量热扩散系数或导热系数 SJ2855-1988温差电致冷名词术语、型号命名及其性能测试方法 SJ2857.3-1988温差电致冷材料性能的测试方法温差电动势率测试方法 YS/T 222-2010 碲锭 YS/T 674-2008 4N 锦 YS/T 816-2012高纯硒 3术语和定义 SJ2855-1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件.
3. 1 粉末热挤出法powder hot extrusion method 一种结合粉末治金和热挤出成形工艺，在热和机械力的共同作用下将粉末或者毛坯挤出成型的 加工方法.
T/SHXCL 0021-2024 3. 2 区熔法 zone melting method 一种制备晶体和提纯晶体的方法，熔区从锭的一端通过整个锭料至另一端.
[来源：SJ2855-1988，3.19] 3.3 再生原料recycled raw materials 前次制备过程中产生的废弃材料或者剩余材料.
3. 4 掺杂剂dopant 少量添加到确化铋基体中，用于调节导电类型、载流子浓度、迁移率或晶格热导率等的元素或 化合物.
3.5 晶棒 crystal bar 由Te、Bi、Sb、Se和掺杂剂按一定化学计量比组成的材料，经粉末热挤出法或区熔法加工成棒 状的热电材料.
4命名和分级 4.1命名 温差电致冷组件用晶棒型号如下： X X X/XX/XX 等级：不添加再生料为A，添加再生料为B 组份：准二元为2，准三元为3 晶棒的标称直径或等效截面直径/mm 类别，分N和P 晶棒代号（ZM：区熔法生产的晶棒：EX：粉末热挤出 法生产晶棒) 示例：EXN/28/2A表示粉末热挤出法生产晶棒、N型、标称直径为p28mm、二元组成、不含再 生原料配制而成的晶棒.
4.2等级 4.2.1A级品 采用半导体元素材料按规定的化学比配制而成，符合本文件规定的电、热物理性能和机械性能 要求的为A级品.
4.2.2B级品 添加了再生原料，使之符合本文件规定的电、热物理性能和机械性能要求的为B级品.
5材料
T/SHXCL0021-2024 5.1成分 温差电致冷组件用晶棒主要原材料有碲、锑、、硒和掺杂剂.
5.2原料 5.2.1确 所选原材料硫的纯度不低于99.99%，其他要求应符合YS/T222的规定.
5.2.2 所选原材料锑的纯度不低于99.99%，其他要求应符合YS/T674的规定.
5.2.3 所选原材料镜为纯度99.99%，其他要求应符合GB/T915的规定.
5.2.4硒 所选原材料硒的牌号为纯度不低于99.999%高纯硒，其他要求应符合YS/T816的规定.
6要求 6.1外观 晶棒表面无明显裂纹、缺损，无明显杂质.
表面应无下列情况之一的裂纹： a）裂纹走向与晶棒轴线近似垂直的裂纹： b)机械损伤造成的裂缝.
6.2尺寸 晶棒尺寸可由供需双方商定，其径向尺寸偏差不大于所商定规格尺寸的4%.
6.3技术要求 晶棒的技术要求应符合表1和表2的规定.
表1晶棒的技术要求（粉末热挤出法工艺） 序号 项目 技术要求 P型 N型 1 电阻率p，Q 0. 80 × 10° ~1. 20×10° 0.80×10~1. 20×10² 2 温差电动势a，V/K ≥190×10 01×061≤ 功率因子PF，W/(Km） ≥4.30×10°(A级品) ≥3. 90×10°（A级品） ≥3.90×10²（B级品） ≥3.70×10（B级品） 热导率x，/（nx) ≤1.47 （A级品） 4 ≤1.55（A级品） ≤1.50（B级品） ≤1.60（B级品） 5 品质因数2，1/K ≥3.15×10²（A级品） ≥2.90×10（A级品） ≥2.95×10°（B级品） ≥2.80×10°（B级品） 6 抗压强度R，MPa ≥155 ≥195 7 密度d，g/cm² 6. 2~6.8 7.2~7.8