JJF 国防军工计量技术规范 JJF（军工）203-2019 膜厚标准样片校准规范 CalibrationSpecificationforFilmThickness Standard Specimens 2019-12-20发布 2020-04-01实施 国家国防科技工业局发布
JJF（军工）2032019 膜厚标准样片 校准规范 JJF（军工）203-2019 Calibration Specification for Film Thickness StandardSpecimens 主要起草单位：国防科技工业1312二级计量站 参加起草单位：国防科技工业光学一级计量站
JJF（军工）203--2019 本规范主要起草人： 韩志国（国防科技工业1312二级计量站） 李锁印（国防科技工业1312二级计量站） 梁法国（国防科技工业1312二级计量站） 许晓青（国防科技工业1312二级计量站） 赵琳（国防科技工业1312二级计量站） 冯亚南（国防科技工业1312二级计量站） 张晓东（国防科技工业1312二级计量站） 参加起草人： 王雷（国防科技工业光学一级计量站） 俞兵（国防科技工业光学一级计量站）
JJF（军工）203-2019 目 录 1范围.. 2引用文件 3术语和定义 4概述.. 4.1原理 4.2构造 4.3分类 4.4用途 5计量特性 5.1膜厚及膜厚偏差 5.2膜厚均匀性 6校准条件 6.1环境条件 6.2校准用设备.. 7校准项目和校准方法 7.1校准项目 7.2校准前准备. 7.3校准方法 3 8校准结果的处理 9复校时间间隔 国防车 5 附录A校准原始记录格式 6 附录B校准证书内页格式 附录C膜厚标准样片薄膜厚度测量不确定度评定示例. 8
JJF（军工）203-2019 膜厚标准样片校准规范 1范围 本规范适用于膜厚标准样片膜层厚度范围为2nm~1000mm，硅基底上二氧化硅（SiO/Si) 膜厚标准样片和硅基底上氮化硅（SisNSi）膜厚标准样片的校准，其他厚度范围、材料类 型的膜厚标准样片的校准，可参照本规范执行.
2引用文件 本规范引用了下列文件： JJF 1059.1 测量不确定度评定与表示 凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本规范：凡是不注日期的引用文件， 其最新版本（包括的修改单）适用本规范.
3术语和定义 下列术语和定义适用于本规范.
3.1膜厚filmthickness 是由硅基底表面和生长层薄膜（二氧化硅或氮化硅）表面所确定的厚度量值.
生长层薄膜 膜厚（d） 基成 图1膜厚的定义示意图 4概述 4.1原理 膜厚标准样片主要采用半导体热氧化工艺或化学气相沉积工艺制备，膜厚标准样片为 单层薄膜结构，基底材料为硅（Si），在硅基底上生长二氧化硅（SiO）或氮化硅（SiNa）， 样片结构示意图如图2所示.
国防车 si或SiN 图2 膜厚标准样片结构示意图 4.2构造 膜厚标准样片主要由基底、标识区和有效测量区组成，如图3所示.
其中，基底是膜 厚标准图形结构的载体，通常选择硅：标识区用来指示有效测量区：有效测量区是膜厚标 准样片中心直径为10mm的一个区域，是薄膜厚度量值的测量区，在该区域内膜厚量值可 以一定的测量不确定度复现膜厚量值.
