ICS 77.040 CCS H 21 中华人民共和国国家标准 GB/T 44558-2024 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 Testmethod for dislocation imaging inI-nitride semiconductor materials Transmission electron microscopy 2024-09-29发布 2025-04-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
GB/T 44558-2024 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.
本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三 代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、 东莞市中半导体科技有限公司、TCL环鑫半导体（天津）有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股 份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司.
本文件主要起草人：曾雄辉、董晓鸣、苏旭军、牛牧童、王建峰、徐科、王晓丹、徐军、郭延军、陈家凡、 王新强、颜建锋、教松泉、唐明华、闫宝华、李艳明.
GB/T 44558-2024 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 1范围 本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法.
本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试.
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.
其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件.
GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件.
3.1 伯格斯矢量Burgers vector 6 位错所致晶格畸变的大小和方向的特征矢量.
3.2 a型位错a type dislocation 伯格斯矢量为1/3（1120）的位错.
c型位错ctype dislocation 伯格斯矢量为（0001>的位错.
3.4 ac型位错ac type dislocation 伯格斯矢量为1/3(1123)的位错.
3.5 衍射矢量diffraction vector 8 衍射谱中由中心斑000o（原点）到衍射斑点（hkil）的坐标矢量.
注：在双束成像条件下特指满足布控格条件的强反射的衍射矢量.
4方法原理 位错的衍射衬度像由衍射矢量（g）和伯格斯矢量（b）的点乘即gb的值决定.
当gb等于0
