ICS 77.150.99 CCS H 66 中华人民共和国国家标准 GB/T10118-2023 代替GB/T10118-2009 高纯镓 High purity gallium 2023-12-28发布 2024-07-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
GB/T 10118-2023 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草.
本文件代替GB/T10118-2009《高纯》，与GB/T10118-2009相比，除结构调整和编辑性改动 外，主要技术变化如下： a）更改了标准的适用范围（见第1章，2009年版的第1章）； b）更改了牌号表示（见第4章，2009年版的3.1）； c）更改了化学成分要求（见5.1，2009年版的3.2）； d）更改了外观质量的要求（见5.2，2009年版的3.3）； e）更改了化学成分的检验方法（见6.1和6.2，2009年版的4.1）； f）更 更改了检验规则（见第7章，2009年版的第5章）： g）更改了标志的内容（见8.1，2009年版的6.1）； h）更改了运输的内容（见8.3，2009年版的6.3）： i）更改了随行文件的内容（见8.5，2009年版的6.5）； j）删除了附录A（见2009年版的附录A） 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.
本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：有研国品辉新材料有限公司、朝阳金美业有限公司、广东先导微电子科技有限 公司、成都中建材光电材料有限公司、东方电气（乐山）峨半高纯材料有限公司、有色金属技术经济研究 院有限责任公司、武汉拓材科技有限公司、楚雄川至电子材料有限公司、株洲科能新材料股份有限公司、 云南锡业新材料有限公司.
本文件主要起草人：路淑娟、曹波、于洪国、邢志国、莫杰、李素青、尚鹏、汪洋、吴广杰、林世源、 李佳宣、张磊、钟连兵、朱君、卢鹏荐、曾小龙、曹昌威、金智宏、赵科湘、伍美珍、刘晓华.
本文件于1988年首次发布，2009年第一次修订，本次为第二次修订.
GB/T 10118-2023 高纯镓 1范围 本文件规定了高纯综的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单 内容.
本文件适用于纯度不小于99.9999%的高纯的生产、检测及质量评价.
注：高纯主要用于制备化合物半导体、高纯合金以及半导体材料的掺杂等.
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.
其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件.
GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定 GB12463危险货物运输包装通用技术条件 GB/T15258化学品安全标签编写规定 GB/T16483化学品安全技术说明书内容和项目顺序 YS/T38.3高纯化学分析方法第3部分：痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法 YS/T474高纯化学分析方法痕量元素的测定电感耦合等离子体质谱法 3术语和定义 本文件没有需要界定的术语和定义.
4牌号 高纯按照化学成分分为Ga6N、Ga7N、Ga8N3个牌号.
5技术要求 5.1化学成分 5.1.1Ga6NGa7N高纯的化学成分应符合表1的规定.
表1Ga6N.Ga7N高纯的化学成分 号 Ga6N Ga7N Ga（质量分数） %6 66666 99 999 99% 杂质含量 Na 30 5 ng/g Mg ≤20 5
