ICS 77.040 CCS H 21 中华人民共和国国家标准 GB/T43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法 Test method for flow pattern defects in silicon wafer-Etching technique 2023-11-27发布 2024-06-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
GB/T 43315-2023 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草.
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本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：中环领先（徐州）半导体材料有限公司、山东有研半导体材料有限公司、中环领先 半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、有色金属技术经济研究 院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、麦克斯电子材料股份有限公司、浙江旭盛电子有限 公司.
本文件主要起草人：朱志高、陈俊宏、陈风林、高海棠、李素青、朱晓彤、由佰玲、吕莹、潘金平、张海英、 胡晓亮、方丽霞、陈跃、黄景明.
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GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法 1范围 本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法.
本文件适用于电阻率大于10cm的硅片流动图形缺陷的检测.
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.
其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件.
GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件.
4原理 试样经特定择优腐蚀液腐蚀，腐蚀液与硅反应产生氢气气泡，在有孔洞及部分间隙型缺陷的位置显 示出类似”V"字结构的流动型缺陷，用金相显微镜观察，并计算流动型缺陷的密度.
5干扰因素 5.1择优腐蚀液故置时间太长，会挥发或产生沉淀物，影响腐蚀效果.
5.2试样表面租糙或存在刮伤、划痕等，影响检测结果.
5.3试样摆故太近，可能在试样表面产生气泡缺陷，影响观察结果.
5.4试样摆放方式（平放或竖着摆放），影响腐蚀效果.
5.5腐蚀率与腐蚀液的使用次数、温度、放置时间、腐蚀试样数量有关，可根据前一批次试样的腐蚀率 计算下一批次试样所需的腐蚀时间，以达到腐蚀效果的一致性.
6试验条件 除另有规定外，应在下列条件下进行测试： a）环境温度为（22土5）℃； b）环境相对湿度不大于80%.
7试剂或材料 除另有说明外，在分析中仅使用确认为分析纯的试剂和蒸馏水或去离子水或相当纯度的水.
