ICS 77. 150. 30 YS CCS H 62 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T1636-2023 电子薄膜用高纯铜环 High purity copperringfor electronic film 2023-12-20发布 2024-07-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布
YS/T1636-2023 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起章， 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.
本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）提出并归口.
本文件起草单位：宁波江丰电子材料股份有限公司，有研亿金新材料有限公司，宁波江丰半导体科技 有限公司，西安斯瑞先进铜合金科技有限公司.
本文件主要起草人：姚力军、杨慧珍、王学泽、周友平、曹欢欢、廖培君、孙君鹏、张晓娜、袁海军、马松、 袁倩靖、王绍帅、王群、汤婷、周斌、丁照崇、陈玉蓉.
YS/T 1636-2023 电子薄膜用高纯铜环 1范围 本文件规定了电子薄膜用高纯铜环的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、 贮存及随行文件和订货单内容.
本文件适用于电子薄膜用高纯铜环（以下简称“铜环"). 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.
其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本 文件.
GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定 GB/T14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则 YS/T347铜及钢合金平均晶粒度测定方法 YS/T922高纯铜化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件.
3.1 环ring 溅射沉积设备中的环形装置.
注：该装置在靶材藏射过程中修正参与藏射的分子、原子或离子的运动轨迹，并吸附大颗粒.
3.2 凸台knob 环外侧用来安装固定环的部分.
注：环与凸台可以通过爆接（如电子束焊等）、机械复合等方式连接.
4分类和标记 4.1铜环按照主成分含量不同分为4N-Cu与5N-Cu两种牌号.
4.2产品通常分为一体型与拼接型两种（分别用A和S表示），如图1所示，或由需方提供图纸.
6百 a）一体型（A型） b)拼接型（S型） 图1结构示意图
YS/T16362023 4.3标记 铜环产品标记按产品名称、牌号、结构的顺序表示.
标记示例如下： 示例： 用牌号为4N-Cu制造的，结构为一体型的高纯铜环，其标记为： 钢环 YS/T 1637 - 4N - Cu - A 5技术要求 5.1化学成分 铜环（包括凸台）的化学成分要求应符合表1的规定.
表1化学成分（质量分数） 4N - Cu 5N-Cu Cu，不小于 99.99 99 999 % Ag 二 5 A1 二 0.5 As 20 0.5 Bi 20 1 Cs 二 0.5 P 二 0.1 Co 二 0.3 Cr 二 0 05 Fe 30 0.5 杂质（×10)，不大于 Mn 10 0.1 10 0.5 P 0.1 Pb 10 0.02 Sb 10 0.1 Se 二 0.1 二 0 5 Sn 10 0.1 Te 二 0.1 Zn 10 - S 30 1 2
YS/T 1636-2023 表1化学成分（质量分数）（续） 牌 台 4N- Cu 5N-Cu 杂质总和（×10)，不大于 % 100 10 气体杂质元素（×10-）， c 10 不大于 - 5 % 0 30 5 注：需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单中注明.
Cu含量为100%减去表中所列“杂质总和”的余量（不含气体杂质元素）.
5.2外形尺寸及其允许偏差 铜环的外形尺寸及其允许偏差由供需双方协商确定.
5.3晶粒度 高纯铜环的晶粒度应符合表2的规定.
表2高纯铜环的晶粒度 晶粒度 牌号 平均值 最大值 4N- Cu 5N Cu ≤150 200 注：若需方有特殊要求，由供需双方协定.
5.4焊接质量 一体型环凸台与环体的焊接应采用电子束焊接，焊接处应无气孔、空洞、缝隙等缺陷.
5.5表面粗糙度 铜环的表面粗糙度R不大于0.8um，如需方有特殊要求，则R.值由供需双方协商确定.
5.6外现质量 钢环的表面应清洁光滑，无指痕、油污和锈蚀，无颗粒附加物和其他沾污，无凹坑、划伤、裂纹、凸起等 影响使用的缺陷.
6试验方法 6.1化学成分 6.1.1杂质元素的检测按照YS/T922的规定进行.
6.1.2气体杂质元素O、N、C的检测按照GB/T14265的规定进行，或由供需双方约定的其他方法 检测.
