ICS 31. 080 CCS L 40/49 CASA 第三代平尊体产业技术创新济的联图 团 体 标 准 T/CASAS 034--2024 用于零电压软开通电路的氮化家高电子迁 移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法 Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor (HEMT) in zero-voltage-switching-on circuits 2024-09-30发布 2024-09-30实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布
T/CASAS034--2024 目次 前言... III 引言.. IV 1范围.. 2规范性引用文件 3术语和定义. 4零电压软开通电路动态导通电阻测试原理 5测试条件 6测试装置. 4 7测试程序 4 7.1测试方法 7.2测试流程 8数据记录和处理 9试验报告. 附录A（资料性）用于零电压软开通电路的GaNHEMT动态导通电阻测试记录表.
8 参考文献
T/CASAS034-2024 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草.
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本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，归CASAS ，未经CASAS许可不得随意复制：其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS允许：任何 单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号.
本文件主要起草单位：浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、广东工业大学、工业和信息化部电 子第五研究所、电子科技大学、南京大学、佛山市联动科技股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公 司、西交利物浦大学、香港科技大学、深圳智芯微电子科技有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、 华为技术有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、英诺赛科（苏州）半导体有限公司、纳微达斯半导体 （上海）有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、英飞凌科技（中国）有限公司、矽力杰半导体技术 （杭州）有限公司、浙江聚新汽车电子有限责任公司、连云港杰瑞电子有限公司、晟星和科技（深圳）有 限公司、杭州蔚斯博系统科技有限公司、深圳英飞源技术有限公司、深圳市航嘉驰源电气股份有限公司、 东莞立讯技术有限公司、深圳市振华微电子有限公司、小米通讯技术有限公司、阳光电源股份有限公司、 长城电源技术有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟.
本文件主要起草人：吴新科、董泽政、贺致远、施宜军、明鑫、周峰、刘庆源、成年斌、刘雯、孙 佳慧、文豪、谢斌、周泉斌、裴轶、田水林、刘小明、徐迎春、贾利芳、宋清亮、赵晨、徐昌国、王廷 营、毛敏、刘钢、柳树渡、赵燕军、王福强、湛坤、林梓彦、王腾飞、蔡磊、赵璐冰.
Ⅲ
T/CASAS034--2024 引言 随着电力电子系统对电源模块功率密度的需求不断提升，开关器件在其中的应用趋向高频化.
为了 应对高频化开关损耗增加的问题，零电压软开通技术逐渐在基于GaN器件的高频功率变换中得到广泛 应用，例如DC-DC中的LLC谐振变换电路和AC-DC中的图腾柱PFC等.
在GaNHEMT功率器件的 开通和关断过程中引入谐振，消除电压和电流的重叠，即为GaNHEMT的零电压软开通过程.
由于GaN HEMT在零电压软开通过程中没有热电子冲击，器件沟道中二维电子气浓度的变化情况与硬开通时不 同.
现有用于硬开关电路的GaNHEMT动态导通电阻测试方法中的测试电路无法用于实现零电压软开 通模式，因此，对于工作在零电压软开通模式下的GaNHEMT动态导通电阻退化间题需要单独评估.
基于这一背景，制定适用于零电压软开通电路的GaNHEMT动态电阻测试标准具有重要意义.
本 文件可用于晶圆级和封装级器件产品测试，但应考虑器件热特性，尽量减少自热效应对测试结果的影响.
对于未切割的小功率晶圆级器件而言，相对其功率等级，其散热能力较好.
然而，对于大功率晶圆级器 件和封装级器件，在连续大电流测试过程中，结温明显上升，需要进行散热处理.
IV
T/CASAS 034-2024 用于零电压软开通电路的氮化家高电子迁移率晶体管（HEMT)动态导 通电阻测试方法 1范围 本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）动态导通电阻测试 方法.
本文件适用于进行GaNHEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场 景.
可应用于以下器件： a）GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件： b)GaN集成功率电路： c）以上的晶圆级及封装级产品.
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.
其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本 文件.
T/CASAS005一2022用于硬开关电路的氮化嫁高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 3术语和定义 T/CASAS005界定的以及下列术语和定义适用于本文件.
3.1 零电压开通zero-voltageswitchingon ZV'S 电力电子器件在栅压上升（开启）过程中漏极电压为零，无漏极电压与电流交叠的情况.
3.2 漏源极导通压降drain to source voltage of DUT in on-state Vps(on) 被测器件导通状态下的源漏极压降.
3. 3 漏极电流drain current of DUT 器件导通时，从漏极流入的电流值.
3. 4
