本标准已于2022年12月07日在上海市市场监督管理局登记，登记号T/07C28692022 ICS 号: 39.060 中国标准文献分类号：D59 体 标 示准 T/STIC110080-2022 化学气相沉积法（CVD）培育钻石裸钻 2022-07-30发布 2022-08-10实施 上海市检验检测认证协会 发布 22120714112221
T/STIC110080-2022 前 1范围 2规范性引用文件... 3术语和定义 4CVD培育钻石特征 5CVD培育站石标钻技术要求 6检验方法 7检验规则 8包装与标志 附录A 10 附录B. 附录C.
T/STIC110080-2022 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.
本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由上海市检验检测认证协会提出并归口管理.
本文件起草单位：上海征世科技股份有限公司、上海铂世光半导体科技有限公司、上海征戴梦商贸 有限公司、武汉工程大学材料科学与工程学院、方圆标志认证集团上海有限公司、上海市检验检测认证 协会.
本文件主要起草人：龚闯、满卫东、胡庆坡、韩初、杨春梅、杨武、骆海燕、高春燕、郑学东.
首批承诺执行单位：上海征世科技股份有限公司、上海铂世光半导体科技有限公司、上海证戴梦商 贸有限公司、武汉工程大学材科科学与工程学院、方圆标志认证集团上海有限公司、上海市检验检测认 证协会.
本文件为首次发布.
II
T/STIC110080-2022 化学气相沉积法（CVD）培育钻石裸钻 1范围 本文件规定了化学气相沉积法（以下简称CVD）培育钻石裸钻的产品特性、技术要求、检验方法、 检验规则、包装与标志等方面的内容.
本文件适用于颜色级别为D~F色，净度级别为FL~VS1，质量大于或等于0.6000g（3.00ct）CVD培 育钻石裸钻的生产、检验和销售.
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用面构成本文件必不可少的条款，其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本 文件.
GB/T16552珠宝玉石名称 GB/T 16553珠宝玉石鉴定 GB/T16554钻石分级 GB/T18303钻石色级目视评价方法 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件.
3. 1 培育钻石 laboratory-grown diamond 又称实验室培育钻石，完全或部分经人工晶体生长过程而形成的由碳原子组成的等轴晶系晶质体， 可含氮N、硼B、氢H、镍Ni、硅Si等杂质元素.
其物理性质、化学成分和晶体结构与天然钻石基本相同.
3. 2 化学气相沉积法 chemical vapor deposition technique，CVD 利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程.
CVD培育钻石 laboratory-grown diamond by chemical vapor deposition technique
T/STIC110080-2022 以含碳气体为碳源，在一定条件下促使碳原子按钻石的结构在预先放置于生长舱中的种晶上沉淀， 不断长大后形成的等轴晶系晶质体.
3. 4 CVD培育钻石原石 rough laboratory-grown diamond by chemical vapor deposition technique 未经切割、琢磨和抛光等工序的CVD培育钻石，也称“CVD培育钻石毛坯”.
3.5 CVD培育钻石棵钻 loose laboratory-grown diamond by chemical vapor deposition technique 经切割、琢磨和抛光等工序，并加工成一定琢型（如标准圆钻型、花式琢型等）的CVD培育钻石.
3. 6 内部特征 internal characteristics 包含在或延伸至CVD培育钻石内部的包裹体、生长痕迹和人为造成的特征.
注：培育钻石常见内部特征类型见附录C.1.
[来源：GB/T16554-2017 3.4.1，有修改] 3. 7 外部特征external characteristics 仅存在于CVD培育钻石外表的生长痕迹和人为造成的特征.
注：培育钻石常见外部特征类型见附录C.2.
[来源：GB/T16554-2017 3.4.2，有修改] 3. 8 标准圆钻型切工 round brilliant cut 由57个或58个刻面按一定规律组成的圆形切工，简称为圆钻形.
[来源：GB/T 16554-2017 3.5.1] 3. 9 花式琢型切工fancycut
