CCS 31.080.01 ICS L40 T/SZAA 深圳自动化学会团体标准 T/SZAA001-2024 车身域控制器场效应管负载能力试验方法 Test Method for Load Capacity of Field Effect Transistor in Vehicle Domain Controller 2024-11-14发布 2024-11-30实施 深圳自动化学会 发布
T/SZAA 001-2024 目次 前言. 1范围.. 2规范性引用文件.. 3术语和定义.
4分类、参数要求及封装 5技术要求 6检测方法 12 7包装、贮存、标识要求 23 8标准实施的过渡期要求 23
T/SZAA 001-2024 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起 草.
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本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由深圳自动化学会提出并归口.
本文件由深圳自动化学会负责解释.
本文件起草单位：比亚迪汽车工业有限公司、苏州纳芯微电子股份有限公司、拓尔微电子股份有限 公司、深圳自动化学会、扬州扬杰电子科技股份有限公司、杭州瑞盟科技股份有限公司、无锡新洁能股 份有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、江苏长晶科技股份限公司.
本文件主要起草人：吴世杰、方舟、魏荣峰、贺艳萍、钱仕峰、赵钟、童鑫、应宇文、周宏伟、刘 男.
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T/SZAA 001-2024 车身域控制器场效应管负载能力试验方法 1范围 本文件规定了乘用车及商用车车身域控制器场效应管的分类、参数要求及封装、技术要求、检测方 法、包装、贮存、标识要求.
本文件适用于乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测，其它非乘用车及商用车的车 身域控制器场效应管负载能力检测参照执行.
2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.
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凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T191-2008包装储运图示标志 GB/T5465.2-2008电气设备用图形符号第2部分：图形符号 GB/T30512-2014汽车禁用物质要求 GB/T2900.32-1994电工术语电力半导体器件 GJB3164-1998半导体分立器件包装规范 IEC60191-6-2009半导体器件的机械标准化第6部分表面安装的半导体器件封装外形图纸制 备的-般规则 (Mechanical Standardization of Semiconductor Devices Part6: General Rules For the Preparation of Outline Drawings of Surface Mounted Semiconductor Device Packages) IEC60747-82021半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管（Semiconductor devices Discrete devicesPart 8:Fieldeffect transistors) JESD51-1集成电路的热测试方法（Integrated Circuits Thermal Measurement Method) Test Method for the Measurenent of the Thermal Resistance Junction to Case of Semiconductor Devices with Heat Flow Through a Singe Path) AEC-Q101-Rev-E基于分立半导体应力测试认证的失效机理（Failure Mechanism Based Stress Test Qualification for Discrete Semiconductors in Automotive Applications) ANSI/ESD S20.20-2021版静电控制标准 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件.
3. 1 MOSFET MOSFET 是 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 的缩写，中文名为金属-氧化物 半导体场效应晶体管，是一种单极型器件，具有栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source），简 称金氧半场效晶体管或MOS管.
3. 2 NMOS N型金属-氧化物-半导体（N-type metaloxide semiconductor），N型功率 MOSFET导电沟道为N
T/SZAA 001-2024 型，通过电子移动导电，主回路电流方向为漏极指向源极，导通条件为Vs有一定的压差（G电位比S 电位高），Source端一般接地（低边驱动）.
PMOS P型金属-氧化物-半导体（P-type metaloxide semiconductor），P型功率MOSFET导电沟道为P 型，通过空穴进行导电，主回路电流方向为源极指向漏极，导通条件为V有一定的压差（S电位比G 电位高），Source端一般接V（高边驱动）.
3. 4 栅极 Gate，简称G极.
MOS管的控制端.
在G极施加驱动电压可控制MOS管开启、关闭.
3.5 源极 Source，简称S极.
源极是控制栅极电场的参考点.
改变栅极和源极之间的电压，可控制源极和漏 极之间的电流流动.
3.6 漏极 Drain，简称D极.
相对于源极，是电流流经的另一个端口.
对于N型功率MOS管，电流方向为漏 极指向源极，对于P型功率MOS管，电流方向为源极指向漏极.
3. 7 温度循环 TemperatureCycling，高温与低温循环交替作用下测试器件机械应力.
3.8 绝对最大限值-Vos耐压 V=OV时，漏源两极未发生击穿前所能施加的最大电压.
为确保MOS管的功能正常，在漏源两极施 加的电压，应控制在此电压值范围内.
3.9 绝对最大限值-Vs耐压 相源两级间可以施加的正负最大电压.
为确保MOS管的功能正常，在栅源两极施加的电压，应控制 在此电压值范围内. 3.10 绝对最大限值-持续带载l0 指在MOS管壳温为25C或者更高温度，保证MOS管不超过其最大额定结温的条件下，可通过的最 大持续直流电流.
如果流过的电流超过该值，会有MOS管击穿的风险.
3. 11 绝对最大限值-脉冲带载l 2
